三星Exynos 2700芯片将采用全新的SBS架构和更精良的散热方案

（AI云资讯消息）三星通过在Exynos 2600芯片中引入创新的散热方案，实现了代际飞跃，大幅提升了该芯片的热稳定性。不过，对于即将推出的Exynos 2700芯片，三星计划在其新兴势头的基础上更进一步，采用创新的并排式（SBS）架构，并搭配更精良的散热方案，从而实现内存带宽的显著跃升。

Exynos 2700芯片预计将采用三星SF2P制程工艺，这是Exynos 2600芯片所采用的2纳米全环绕栅极（GAA）制程的下一代迭代版本。全环绕栅极（GAA）是一种3D晶体管架构，其栅极从四个方向完全包裹住由垂直堆叠的纳米片构成的沟道，从而带来更优的静电控制和更低的阈值电压。因此，与前代SF2节点相比，三星全新的SF2P制程预计将带来12%的整体性能提升，同时整体能耗降低25%。

不过，Exynos 2700芯片最深层的变革预计还是集中在其布局设计上。Exynos 2600采用类似三明治的结构设计，RAM堆叠在SoC之上，铜质散热片（称为热路径块，即HPB）则置于RAM上方。这种设计虽能带来更高的热效率，但仍会将热量困在SoC与RAM之间。

然而，在Exynos 2700芯片上，三星计划利用其扇出型晶圆级封装（FOWLP）技术，将RAM与SoC水平并排放置，并在晶圆层面实现两者的集成。这种架构具有多重优势。首先，得益于大幅缩短的互连距离，内存带宽预计将提升约30%至40%，同时能效也会得到改善。更重要的是，HPB散热片可以直接覆盖在SoC和RAM之上，从而切实提升芯片的热稳定性。

Exynos 2600芯片的热稳定性本已优于高通的骁龙8 Elite Gen 5芯片。随着三星为其下一代Exynos 2700芯片带来的这些创新，这一令人瞩目的领先优势预计还将进一步扩大。