三星准备用1.4纳米工艺技术挑战英特尔和台积电，目标在2029年量产

（AI云资讯消息）三星电子在准备自研的1.4纳米制程工艺，力争在2029年推出，以挑战英特尔的14A和台积电的A14工艺。

英特尔和台积电是研发1.4纳米级工艺技术的领先企业。虽然各自的技术在根本上互不相同，但两者都已被正式归为1.4纳米级产品。台积电的A14晶圆厂预计将于2027年投产，而竞争对手英特尔也因需求旺盛，准备加速推进其14A技术。特斯拉TeraFab和苹果等主要客户已在排队等候。

据报道，三星目前正在重启其代号为SF1.4的1.4纳米代工工艺。该工艺最初计划于2027年实现量产，但根据新的时间表，量产目标现已调整至2029年。

三星正与国内外供应链合作伙伴携手推进工艺设备的研发，为SF1.4技术铺路。首批设备将交付给NRD-K，这是三星最前沿的半导体研发中心。主要合作伙伴包括三星电子的设备供应商应用材料公司和泛林集团。

当初决定暂停1.4纳米项目，是为了集中力量强化SF2和SF2P等2纳米工艺。这些技术在良率上更有优势，且拥有经过优化的后端生产配套。而1.4纳米则需要三星建设全新的生产线，并投入大量更新型的设备，因此重启该项目需要一定时间。

作为极紫外（EUV）设备的领先供应商，ASML已向NRD-K交付了其高数值孔径（high-NA）EUV光刻设备，三星很可能会率先采用该设备进行1.4纳米制程。除了1.4纳米节点外，三星还计划开发下一代V12 NAND闪存，并预计于2030年投入量产。三星已将目光投向2030年及以后，通过多单元堆叠技术实现超过1000层的NAND闪存。

英特尔最近宣布启动18A-P节点的风险试产，该节点是18A的升级版，性能更优。三星相比台积电应具有一定优势，因为台积电目前尚未采用高数值孔径极紫外光刻设备，不过台积电也在推进A16节点的研发，该节点将先于A14推出。三星2029年的1.4纳米工艺将成为其代工部门的重要战略资产，助其在竞赛中奋力追赶英特尔和台积电，这两家公司各自的1.4纳米级工艺技术届时将领先一年。