三星突破存储与内存瓶颈：推出 400 层以上混合键合 V10 BV-NAND，同时实现 zHBM 直叠 AI 芯片

（AI云资讯消息）在FMS 2026闪存峰会上，三星发布了多项全新的内存与存储技术，包括V10 BV-NAND、zHBM以及zNAND-O。

在AI和算力需求不断攀升的背景下，当前技术路线的局限性日益凸显，厂商亟需布局颠覆性创新，而这些变革性方案将成为未来AI基建的核心支柱。

三星在FMS2026年闪存峰会上展出了两项仍处于概念期的新技术。虽然目前仅停留在概念层面，但一旦在实体制片（如AI加速器）中付诸实施，这两项技术将成为未来发展的重要引擎。

本次展出的核心技术是zHBM内存方案。据三星介绍，zHBM在现有HBM设计基础上，将内存直接堆叠于AI加速器正上方。目前HBM通常放置在AI加速器主计算芯片的旁侧，而将其置于加速器顶部不仅能节省空间，还能显著提升数据传输速率。

zHBM预计将带来更高的带宽和更优的能效表现。据三星官方数据，zHBM相较传统HBM5方案可实现8倍的性能飞跃，内存密度提升超过10倍，能效达到3倍水平，同时将热阻降低一半以上。

由于zHBM尚处概念初期，三星未就技术细节做过多展开。但官方表示，zHBM在面向客户的定制化设计上具备高度灵活性。据悉，三星正与客户协同推进，以优化zHBM在下一代AI加速器中的整合方案。

此次亮相的另一项技术为zNAND-O。该方案以三星V-NAND为基础架构，定位为面向未来的高性能NAND存储产品。

据三星官方介绍，BV-NAND赋能下的V10存储设计，可在实现存储密度跃升的同时兼顾性能与功耗优化。该技术核心思路明确：采用混合键合工艺实现存储单元的堆叠集成，而非追求单层单元内更高密度的层数堆砌。数据方面，V10相较V9 NAND存储密度增幅达58%，读写与IO吞吐性能亦全面超越前代。

目前，三星已着手布局基于混合键合方案的1000+层NAND，BV-NAND的推出正式拉开了这一技术序幕。展望未来，三星SSD与存储产品组合的容量将呈现快速攀升态势，而内存领域亦将通过zHBM、HBM4E、HBM5、GDDR7等前沿技术持续保持创新节奏。