IBM在0.7纳米制程开发中取得进展，纳米堆叠芯片制造技术获得突破

（AI云资讯消息）6月25日，IBM发布了0.7纳米芯片技术，成为首家推出小于1纳米制程节点的企业。IBM声称，这项技术将使指甲盖大小的芯片容纳多达1000亿个晶体管。为实现这一目标，该技术依托于IBM的纳米堆叠技术，即利用纳米片进行芯片制造。

据IBM称，这款0.7纳米芯片的密度几乎是2021年发布的2纳米芯片的两倍。当时，IBM公司首次在制造工艺技术中采用了纳米片技术。IBM指出，与当时最先进的7纳米工艺技术相比，2纳米工艺能够实现45%的性能提升，功耗降低75%。

在芯片制造领域，纳米片技术并非行业内的新进展。IBM发布消息一个月后，台积电也讨论了其纳米片技术。在一次研讨会上，台积电研发高级副总裁米玉杰博士指出，该公司已通过其新型纳米片晶体管成功降低了电压变化。

米玉杰表示，他的公司已展示出纳米片晶体管，其Vt变化（阈值电压变化）降低了15%以上，如蓝色曲线所示，相比之下，性能非常优异的FinFET晶体管则如红色曲线所示。”

在0.7纳米芯片发布时，IBM声称纳米堆叠技术是纳米片技术的升级版。IBM公司指出，顾名思义，纳米堆叠技术是将晶体管垂直堆叠并交错排列。这种设计方法能够实现3D集成，从而在芯片上封装更多晶体管。

此外，IBM公司还指出，纳米堆叠架构已通过CMOS集成中的超薄介质键合技术得到实验验证。这种键合工艺需要晶体管之间精确对准。

IBM公司表示，与2纳米芯片相比，0.7纳米芯片的能效可提升70%，性能可提升50%。

IBM还指出，通过0.7纳米（7A）制造技术，人工智能芯片的性能可从目前的每秒4500万亿次运算提升至每秒9000万亿次运算，从而将训练时间从三个月缩短至几周。

IBM公司还分享了更多关于其纳米堆叠晶体管制造工艺的细节。据IBM称，他们开发出了一种将两片晶圆结合以形成全新多层结构的新技术，从而制造出三维晶体管，为下一代计算机芯片的开发奠定基础。