电子时报：芯片厂商正放缓10nm以下制程工艺发展

北京时间9月4日消息 来自台湾电子时报的报道称，由于10nm以下工艺芯片制造需要巨大的资本支出，许多代工厂已经放慢了投资步伐，而无晶圆厂芯片制造商则因成本原因，仍在坚持使用14/12nm产品。据业内人士称，这种情况可能会为芯片行业的发展翻开新的一页。

开发10nm以下芯片的成本非常高。海思半导体最近表示花费了至少3亿美元用于开发采用7nm制程技术制造的新一代SoC芯片。

消息人士称，无晶圆厂芯片制造商意识到，在开发10nm以下芯片时必须投入巨额成本，他们担心这种巨额投资是否能够得到回报。

消息人士指出，高通和联发科没有开发业界首个7nm SoC芯片，而是通过推出各自新的14/12nm解决方案来增强了其中高端产品。行业对于在目前的情况下是否有必要向7nm制造节点进行推进提出了疑问。

据称，高通和联发科都已推迟了其7nm芯片解决方案的上市时间，从此前计划的2018年推迟至2019年。然而，消息人士称，这两家主要的智能手机SoC提供商可能正竞相通过各自的第一代7nm芯片准备其5G解决方案。

分析称，高通和联发科目前专注于提升中高端解决方案的做法，可能符合他们优先满足实际需求的战略。在5G终端做好商用准备前，专注于中高端细分市场可能是他们目前的合适策略。

在纯代工厂中，只有台积电和三星电子公布了其7nm节点技术路线图。联华电子（UMC）已将其投资重点转移至成熟和专业工艺节点，而格罗方德（Globalfoundries）已决定将其7nm FinFET计划进行搁置。

格罗方德表示，该公司“正在重塑其技术组合，从而更专注于为高增长市场的客户提供差异化产品”。该公司计划转移开发资源，从而使其14/12nm FinFET平台更加满足这些客户的需求。

联华电子则重申了其提高运营盈利能力的努力。联华电子减少了对进入先进节点制程芯片竞赛的关注，转为增强其现有工艺产品组合，特别是专业工艺技术。