台积电首座 1.4 纳米以下晶圆厂预计 2030 年投产

（AI云资讯消息）台积电已开始筹划制造比1.4纳米技术节点更先进的芯片。台积电 1.4 纳米工艺为下一代技术，用于接替当前的 2 纳米工艺。据报道，台积电计划在台湾新竹生产 1.4 纳米以下制程的芯片。

随着英特尔准备于 2028 年用 14A 工艺量产芯片产品，台积电与英特尔之间的技术竞赛由此进入新阶段。台积电是目前全球规模最大的晶圆代工厂，凭借与英伟达、苹果等行业巨头的合作，在尖端半导体量产领域保持全球领先地位。

目前，英特尔和台积电分别采用各自的18A和2纳米制程技术生产芯片。另有多方报道披露了两家下一代工艺，即 14A 与 A14 的相关细节，二者将进一步缩小晶体管尺寸。

对台积电而言，A14 工艺相较当前量产的 N2 工艺系列，逻辑密度有望提升超 20%；性能预计提升 10% 至 15%，能效提升 25% 至 30%。

最新报道显示，台积电已获得台湾新竹科学园区龙园第三期扩建项目的审批。据该公司供应链消息人士透露，本次扩建将用于 A14（1.4 纳米）之后更先进的制造工艺。三期工程共规划三座晶圆厂，其中首座预计于 2030 年投入量产。

该科学园区扩建预计占地56.7万平方米，开发成本约 200亿人民币。台积电原计划于 2023 年迁入龙潭园区，但因初期扩建方案遭当地居民反对而推迟。为此，主管部门将开发面积从最初的 64.3万平方米缩减至56.7万平方米，并降低了向私有土地所有者征收土地的比例。

该科学园区扩建项目将用于支撑台积电 1.4 纳米工艺生产，计划在园区内修建两座 1.4 纳米晶圆厂及一座封装厂。其中 1.4 纳米制程将安排在三期扩建的一期工程落地，而 A14 以下更先进工艺产品，则会在三期扩建的第三阶段投产。